一、要闻导览：
1.SEMI：功率和化合物半导体Fab厂产能预计将在年首次突破万片/月
2.ICInsights：截止至年,中国台湾占全球晶圆产能21.4%，排名全球第一
3.日本芯片制造设备年销量预计超3万亿日元，挑战历史新高
4、三星宣布量产14纳米EUVDDR5DRAM
5、意法半导体发布车用高集成度智能高边驱动器
6.台积电第三季营收同比增长16.3%，7纳米和更先进的技术制程占比超50%
二、具体内容
1.SEMI：功率和化合物半导体Fab厂产能预计将在年首次突破万片/月
10月12日，SEMI在其《功率和化合物半导体Fab厂报告》中宣布，新冠疫情影响半导体供应链中断，推动汽车电子产品需求，全球功率和化合物半导体Fab厂的产能预计将在年首次突破万片/月（WPM），至万WPM（8英寸等效），年将攀升至万WPM。
预计到年，中国将占产能的最大份额——33%，其次是日本，占17%，欧洲和中东占16%，中国台湾地区占11%，当年有望增加超过36万WPM时，这一比例预计也将变化不大。
SEMI《功率和化合物半导体Fab厂报告》显示，从年到年，预计有63家公司产能将增加超过万WPM（8英寸等效）。英飞凌、华虹半导体、意法半导体和士兰微电子将领先增长，预计将增加70万WPM。
年，功率和化合物半导体fab厂的产能同比增长5%(YOY)，年增长3%，年增长7%。预计年和年的增长率将分别保持在6%和5%的强劲水平，年时达到万WPM的记录。
从年到年，预计47个高概率的厂房和生产线（研发到量产，包括外延晶片）将上线，使总数达到个，不排除新的厂房和生产线的可能。
SEMI《功率和化合物半导体Fab厂报告》涵盖了年至年的12年间，运营的家厂房和生产线，包括已关闭或将关闭的，以及开始运营的新厂房和生产线。
(来源：SEMI)
2.ICInsights：截止至年,中国台湾占全球晶圆产能21.4%，排名全球第一
知名半导体分析机构ICInsights将于本月晚些时候发布《-年全球晶圆产能报告》，报告内容涵盖半导体产业对中国台湾地区的重要性。在ICInsights看来，未来全球经济增长越来越依赖于先进电子系统的持续发展。这些系统中的关键组件是集成电路，没有它就无法拓展先进的电子系统。数据显示，截至年12月，中国台湾地区在全球任何国家或地区半导体产能占比中是最高的，中国台湾占全球晶圆产能21.4%，排名全球第一。中国大陆和中国台湾地区半导体产能份额相加，将占全球总产能的37%左右，约为北美的3倍。
台积电拥有全球10nm以下先进制程产能的63%，三星拥有剩余的37%产能。中国台湾地区的公司占岛内总产能的近90%。岛内少数的非本土晶圆厂有美国Diodes，拥有的一个小型6英寸晶圆厂，以及美光拥有的两个先进的12英寸DRAM晶圆厂（分别是桃园的Fab11晶圆厂，每月产能为10万零片，和台中Fab16晶圆厂，产能为月产能10万片）。
中国台湾地区拥有全球22%的12英寸晶圆产能，紧随韩国的25%。相比之下，北美仅占11%。
台湾地区半导体总产能约80%来自代工生产。预计到年，台湾地区的纯代工厂（即台积电、联电、力积电等）将占全球纯代工市场总量的近80%。
（来源：ICInsights）
3.日本芯片制造设备年销量预计超3万亿日元，挑战历史新高
日本半导体设备协会（SEAJ）近日报告显示，代工、逻辑IC和存储器需求强劲，带动半导体设备销量持续走高，上修年度(年4月-年3月)日本芯片制造设备销售额至亿日元，首度突破亿日元大关，第二年创下历史新高。
据日经新闻报道，日本芯片制造设备全球市占率达到30%，仅次于美国。SEAJ指出，日本芯片制造设备年销量从0亿日元增长至00亿日元用了22年（-年），而从00亿日元增长至亿日元仅用了4年时间。
SEAJ进一步表示，明年起，以数据中心、5G为中心的终端产品需求迎来爆发，因此上修年日本芯片制造设备销售额至亿日元，较今年增长5.1%，年销售额尚秀芝，较明年再增4.9%。
（来源：路透、集微网）
4、三星宣布量产14纳米EUVDDR5DRAM
三星电子近日宣布已开始量产基于极紫外光(EUV)制程技术的14纳米DRAM，继该公司于去年3月推出业界首款EUVDRAM后，三星已将EUV层的数量增加到5层，以为其DDR5解决方案提供当今最好、最先进的DRAM工艺。
随着DRAM继续缩小到10nm范围，EUV技术对于提高模式精度以获得更高的性能和更高的产量变得越来越重要。通过在其14nmDRAM上应用5个EUV层，三星实现了最高的位密度，同时将整体晶圆生产率提高了约20%。此外，与上一代DRAM节点相比，14nm工艺可帮助降低近20%的功耗。
根据最新DDR5标准显示，三星的14纳米DRAM将开创过去产品所未有的传输速度，速度高达7.2Gbps，是DDR4的两倍多。三星计划扩大其14纳米DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。此外，三星希望将其14纳米DRAM芯片密度提高到24Gb，以更好地满足全球IT系统快速增长的数据需求。
（来源：三星电子）
5、意法半导体发布车用高集成度智能高边驱动器
意法半导体推出了新一代汽车智能开关模块VN9D30QF和VN9D5D20FN，这是市场上首款在片上全数字诊断功能中增加了数字电流检测回路的驱动芯片，为12V电池供电汽车系统高边连接专门设计，可简化电控单元(ECU)的硬件和软件设计，并增强系统可靠性。
新器件利用意法半导体新一代的VIPower*M0-9技术，在6mmx6mmQFN封装中整合一个带3.3V数字逻辑电路的高效40V沟槽垂直MOSFET和高精度模拟电路，其紧凑尺寸和高集成度比市场上现有类似驱动器芯片节省电路板面积高达40%。
VN9D30QF有两个33mW和两个90mW输出通道；VN9D5D20FN两个7.6mW和两个20mW输出通道。每款产品都有多达六个输出通道和一个4线SPI接口，从而减少了微控制器与驱动芯片交互所需的I/O引脚数量。两款产品还内置分辨率为0.1%的脉宽调制(PWM)发生器，可在每个输出端提供方便且精确的控制信号，以处理灯调光等功能。
除了更大限度地降低耗散功率和电路板设计复杂性，为客户降低硬件成本外，这两款新产品还提供一个驱动操作不受应用影响的复杂解决方案，简化了AUTOSAR产品合规认证，降低了软件开发难度。
（来源：汽车电子应用网）
6.台积电第三季营收同比增长16.3%，7纳米和更先进的技术制程占比超50%
近日，台积电（TWSE：，纽约证交所代码：TSM）公布截至年9月30日第三季合并营收为新台币.7亿元，符合公司此前介于4,-4,亿元的预测。此外，净收入为新台币.6亿元，摊薄每股收益为新台币6.03元（每股ADR单位1.08美元）。
与去年同期同期，第三季度收入增长16.3%，净利润和摊薄每股收益均增长13.8%。与年第二季度相比，第三季度业绩为收入增长11.4%，净利润增长16.3%。所有数字都是根据TIFRS综合编制的。
以美元计算，第三季度营收为.8亿美元，同比增长22.6%，较上季度增长12.0%。
本季度毛利率为51.3%，营业利润率为41.2%，净利润率为37.7%。
第三季度，5纳米的出货量占晶圆总收入的18%；7纳米占34%。先进技术（定义为7纳米和更先进的技术）占晶圆总收入的52%。
台积电副总裁兼首席财务官黄文德（WendellHuang）表示："我们第三季度的业务主要得益于智能手机、HPC、物联网和汽车相关应用这四个增长平台的强劲需求。"进入年第四季度，预计我们的业务将得到行业领先的5nm技术的强劲需求的支持。
根据公司目前的业务前景，管理层预计年第四季度的收入在亿至亿美元之间，毛利率预计在51%至53%之间。
（来源：台积电）
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